レーザープロセシング応用便覧

第5章 ミクロレーザープロセシング

  • 1. CVD
    • 1. はじめに
    • 2. レーザーCVDの機構
    • 3. レーザーCVDの特徴
    • 4. レーザーCVDの実際
    • 5. 最近のレーザーCVD研究例
    • 6. おわりに
  • 2. 光酸化
    • 1. はじめに
    • 2. 酸化膜形成
    • 3. 光源開発の新展開
  • 3. レーザーアニーリング
    • 1. はじめに
    • 2. 低温ポリシリコンTFT
    • 3. ELA技術
      • 3.1 ELAによる結晶化
      • 3.2 ラインビームELA装置
      • 3.3 SLS方式結品化
    • 4. まとめ
  • 4. エピタキシャル成長
    • 1. 薄膜合成におけるレーザーアブレーションプロセスの特徴
    • 2. 薄膜成長様式:エピタキシャル成長
    • 3. エピタキシャル成長のナノスケール制御:レーザーMBE法
    • 4. レーザーMBE法による酸化物薄膜の室温エピタキシャル成長
    • 5. ダイヤモンド薄膜のエピタキシャル成長
  • 5. エキシマレーザーリソグラフィ
    • 1. 概要
    • 2. リソグラフィ
    • 3. レジスト
    • 4. QCM法
    • 5. 露光装置
    • 6. 二光東干渉法
    • 7. 高解像力化
    • 8. OPC法
    • 9. 位相シフト法
    • 10. 変形照明
    • 11. 短波長化
    • 12. 収差
    • 13. ホトリツグラフィの最新動向
    • 14. ArF液浸リソグラフィ
    • 15. 将来展望
  • 6. プリント基板加工
    • 1. はじめに
    • 2. CO2レーザードリル装置
    • 3. UVレーザーの特徴と開発背景
      • 3.1 スミアの少ない加工が可能
      • 3.2 小径加工が容易,且つガルバノ光学系の高精度化・高速化が可能
      • 3.3 焦点深度が長い
    • 4. 高速UVレーザードリリングマシン【SLV-310T】
    • 5. UVレーザー加工特性
    • 6. 今後の動向
  • 7. 液晶表示装置 液晶表示装置リペア
    • 1. はじめに
    • 2. LCDの構成
    • 3. レーザーによるLCDの欠陥修正
    • 4. レーザーCVD法による修正技術
    • 5. ガスカーテンシールド法
    • 6. レーザーリベア装置の構成
    • 7. 実際のレーザーリペア装置
    • 8. おわりに
  • 8. マスクリベアー
    • 1. はじめに
    • 2. フォトマスクについて
    • 3. 欠陥の種類
    • 4. 欠陥の修正方法
    • 5. 他の欠陥修正装置
    • 6. レーザーマスクリペアの構成概要
    • 7. 半導体デバイス用レーザーマスクリペア
    • 8. LCD用レーザーCVDリペア
    • 9. おわりに
  • 9. その他の応用
    • 1. はじめに
    • 2. レーザーマーキング
      • 2.1 レーザーマーキングの原理
      • 2.2 レーザーマーキングの方式
    • 3. レーザー割断
    • 4. 様々なミクロレーザープロセシング
    • 5. おわりに