第５章　ミクロレーザープロセシング

レーザープロセシング応用便覧

第５章 ミクロレーザープロセシング

• 1. CVD
  • 1. はじめに
  • 2. レーザーCVDの機構
  • 3. レーザーCVDの特徴
  • 4. レーザーCVDの実際
  • 5. 最近のレーザーCVD研究例
  • 6. おわりに
• 2. 光酸化
  • 1. はじめに
  • 2. 酸化膜形成
  • 3. 光源開発の新展開
• 3. レーザーアニーリング
  • 1. はじめに
  • 2. 低温ポリシリコンTFT
  • 3. ELA技術
    • 3.1 ELAによる結晶化
    • 3.2 ラインビームELA装置
    • 3.3 SLS方式結品化
  • 4. まとめ
• 4. エピタキシャル成長
  • 1. 薄膜合成におけるレーザーアブレーションプロセスの特徴
  • 2. 薄膜成長様式:エピタキシャル成長
  • 3. エピタキシャル成長のナノスケール制御:レーザーMBE法
  • 4. レーザーMBE法による酸化物薄膜の室温エピタキシャル成長
  • 5. ダイヤモンド薄膜のエピタキシャル成長
• 5. エキシマレーザーリソグラフィ
  • 1. 概要
  • 2. リソグラフィ
  • 3. レジスト
  • 4. QCM法
  • 5. 露光装置
  • 6. 二光東干渉法
  • 7. 高解像力化
  • 8. OPC法
  • 9. 位相シフト法
  • 10. 変形照明
  • 11. 短波長化
  • 12. 収差
  • 13. ホトリツグラフィの最新動向
  • 14. ArF液浸リソグラフィ
  • 15. 将来展望
• 6. プリント基板加工
  • 1. はじめに
  • 2. CO²レーザードリル装置
  • 3. UVレーザーの特徴と開発背景
    • 3.1 スミアの少ない加工が可能
    • 3.2 小径加工が容易,且つガルバノ光学系の高精度化・高速化が可能
    • 3.3 焦点深度が長い
  • 4. 高速UVレーザードリリングマシン【SLV-310T】
  • 5. UVレーザー加工特性
  • 6. 今後の動向
• 7. 液晶表示装置 液晶表示装置リペア
  • 1. はじめに
  • 2. LCDの構成
  • 3. レーザーによるLCDの欠陥修正
  • 4. レーザーCVD法による修正技術
  • 5. ガスカーテンシールド法
  • 6. レーザーリベア装置の構成
  • 7. 実際のレーザーリペア装置
  • 8. おわりに
• 8. マスクリベアー
  • 1. はじめに
  • 2. フォトマスクについて
  • 3. 欠陥の種類
  • 4. 欠陥の修正方法
  • 5. 他の欠陥修正装置
  • 6. レーザーマスクリペアの構成概要
  • 7. 半導体デバイス用レーザーマスクリペア
  • 8. LCD用レーザーCVDリペア
  • 9. おわりに
• 9. その他の応用
  • 1. はじめに
  • 2. レーザーマーキング
    • 2.1 レーザーマーキングの原理
    • 2.2 レーザーマーキングの方式
  • 3. レーザー割断
  • 4. 様々なミクロレーザープロセシング
  • 5. おわりに