レーザープロセシング応用便覧

第3章 プロセス装置

  • 1. プロセス装置の基本構成
    • 1. プロセス装置の基本的構成要素
    • 2. 位置決め機構
    • 3. レーザービームの伝送方式
  • 2. プロセス用レーザー
    • 1. エキシマレーザー
      • 1.1 エキシマレーザーの特徴
      • 1.2 プロセス用エキシマレーザー加工装置の種類
      • 1.3 エキシマレーザー装置
    • 2. CO2レーザー
      • 2.1 CO2レーザーの基本原理
      • 2.2 CO2レーザー発振器構成
      • 2.3 板金用CO2レーザー加工装置
      • 2.4 CO2レーザーによる板金加工方法
      • 2.5 プリント基板穴あけ用CO2レーザー加工装置
    • 3. 高出力半導体レーザー
      • 3.1 はじめに
      • 3.2 半導体レーザー
      • 3.3 高出力化と高輝度化
      • 3.4 高出力半導体レーザーの装置構成
      • 3.5 シングルエミッターLDによる高出カレーザー装置
      • 3.6 高出力半導体レーザーの特徴
      • 3.7 今後の動向
    • 4. 半導体レーザー励起高出力ロッドレーザー
      • 4.1 市場拡大と実用性
      • 4.2 基本構成
      • 4.3 今後の展開
    • 5. ディスクレーザー
      • 5.1 ディスクレーザーヘの期待
      • 5.2 ディスクレーザーの基本構成
      • 5.3 LD励起ディスクタイプYAGレーザーの技術開発・実用化の現状
      • 5.4 LD励起ディスクタイプYAGレーザーヘの期待
    • 6. ファイバーレーザー
      • 6.1 はじめに
      • 6.2 IPGファイバーレーザの特長
      • 6.3 ファイバーレーザーの原理と構成
      • 6.4 励起用半導体レーザー
      • 6.5 多面周囲励起方式
      • 6.6 原理と構成
      • 6.7 システムの構成と性能
      • 6.8 ビーム品質と加工条件
      • 6.9 加工事例と性能
      • 6.10 まとめ
    • 7. Qスイッチ発振固体レーザー
      • 7.1 はじめに
      • 7.2 Qスイッチ
      • 7.3 Qスイッチ発振固体レーザーの現状
    • 8. 波長変換を利用した短波長レーザー
      • 8.1 はじめに
      • 8.2 短波長レーザーの基本原理
      • 8.3 市販の短波長レーザー
      • 8.4 開発レベルの短波長レーザー
    • 9. フェムト秒レーザー
      • 9.1 はじめに
      • 9.2 フェムト秒レーザー光源
      • 9.3 フェムト秒レーザー加工機
  • 3. プロセス制御システム
    • 1. 光学系
      • 1.1 均一化光学系(ホモジナイズド光学系)
      • 1.2 集光光学系
      • 1.3 結像光学系
      • 1.4 走査光学系
    • 2. ステージ
    • 3. その他
      • 3.1 雰囲気制御
      • 3.2 同期制御
  • 4. プロセス装置の性能評価
    • 1.はじめに
    • 2. 低温多結晶(poly‐ )Si TFT液晶ディスプレイ
    • 3. レーザー結晶化アニールプロセス
    • 4. エキシマレーザーアニーラ
    • 5. プロセスと装置仕様
      • 5.1 初期性能
      • 5.2 生産性
      • 5.3 歩留まり
      • 5.4 長期安定性
      • 5.5 コスト
    • 6. プロセス装置の性能評価
    • 7. おわりに