第３章　プロセス（加工）装置

レーザープロセシング応用便覧

第３章 プロセス（加工）装置

• 1. プロセス（加工）装置の基本構成
  • 1. プロセス（加工）装置の基本的構成要素
  • 2. 位置決め機構
  • 3. レーザービームの伝送方式
• 2. プロセス（加工）用レーザー
  • 1. エキシマレーザー
    • 1.1 エキシマレーザーの特徴
    • 1.2 プロセス（加工）用エキシマレーザー加工装置の種類
    • 1.3 エキシマレーザー装置
  • 2. CO₂レーザー
    • 2.1 CO₂レーザーの基本原理
    • 2.2 CO₂レーザー発振器構成
    • 2.3 板金用CO₂レーザー加工装置
    • 2.4 CO₂レーザーによる板金加工方法
    • 2.5 プリント基板穴あけ用CO₂レーザー加工装置
  • 3. 高出力半導体レーザー
    • 3.1 はじめに
    • 3.2 半導体レーザー
    • 3.3 高出力化と高輝度化
    • 3.4 高出力半導体レーザーの装置構成
    • 3.5 シングルエミッターLDによる高出カレーザー装置
    • 3.6 高出力半導体レーザーの特徴
    • 3.7 今後の動向
  • 4. 半導体レーザー励起高出力ロッドレーザー
    • 4.1 市場拡大と実用性
    • 4.2 基本構成
    • 4.3 今後の展開
  • 5. ディスクレーザー
    • 5.1 ディスクレーザーヘの期待
    • 5.2 ディスクレーザーの基本構成
    • 5.3 LD励起ディスクタイプYAGレーザーの技術開発・実用化の現状
    • 5.4 LD励起ディスクタイプYAGレーザーヘの期待
  • 6. ファイバーレーザー
    • 6.1 はじめに
    • 6.2 IPGファイバーレーザの特長
    • 6.3 ファイバーレーザーの原理と構成
    • 6.4 励起用半導体レーザー
    • 6.5 多面周囲励起方式
    • 6.6 原理と構成
    • 6.7 システムの構成と性能
    • 6.8 ビーム品質と加工条件
    • 6.9 加工事例と性能
    • 6.10 まとめ
  • 7. Qスイッチ発振固体レーザー
    • 7.1 はじめに
    • 7.2 Qスイッチ
    • 7.3 Qスイッチ発振固体レーザーの現状
  • 8. 波長変換を利用した短波長レーザー
    • 8.1 はじめに
    • 8.2 短波長レーザーの基本原理
    • 8.3 市販の短波長レーザー
    • 8.4 開発レベルの短波長レーザー
  • 9. フェムト秒レーザー
    • 9.1 はじめに
    • 9.2 フェムト秒レーザー光源
    • 9.3 フェムト秒レーザー加工機
• 3. プロセス制御システム
  • 1. 光学系
    • 1.1 均一化光学系(ホモジナイズド光学系)
    • 1.2 集光光学系
    • 1.3 結像光学系
    • 1.4 走査光学系
  • 2. ステージ
  • 3. その他
    • 3.1 雰囲気制御
    • 3.2 同期制御
• 4. プロセス（加工）装置の性能評価
  • 1.はじめに
  • 2. 低温多結晶(poly‐ )Si TFT液晶ディスプレイ
  • 3. レーザー結晶化アニールプロセス
  • 4. エキシマレーザーアニーラ
  • 5. プロセス（加工）と装置仕様
    • 5.1 初期性能
    • 5.2 生産性
    • 5.3 歩留まり
    • 5.4 長期安定性
    • 5.5 コスト
  • 6. プロセス（加工）装置の性能評価
  • 7. おわりに