- 12・1 遷移金属結晶レーザー
- 12・1・1 遷移金属レーザー結晶
- 12・1・2 Ni2+イオンレーザー
- 12・1・3 Co2+イオンレーザー
- 12・1・4 Crイオンレーザー
- 12・2 非結晶レーザー
- 12・2・1 Nd:ガラスレーザー
- 12・2・2 石英レーザー材料
- 12・2・3 セラミックレーザー
- 12・2・4 プラスチックレーザー
- 12・3 ファイバレーザー
- 12・3・1 ファイバレーザーの構造
- 12・3・2 連続発振ファイバレーザー
- 12・3・3 エルビウム添加ファイバ増幅器
- 12・3・4 ラマンファイバレーザー
- 12・3・5 フッ化物ファイバレーザー
- 12・3・6 ファイバレーザー用のデバイス
- 12・3・7 コヒーレントアレイファイバレーザー
- 12・3・8 フォトニックファイバとファイバレーザー
- 12・4 マイクロチップ用レーザー材料
- 12・4・1 希土類添加レーザー材料の比較
- 12・4・2 マイクロチップ固体レーザー材料
- 12・4・3 発光材料としての希土類
- 12・6 気体レーザー
- 12・6・1 レーザー材料
- 12・6・2 励起方法
- 12・6・3 発振波長領域
- 12・6・4 ヘリウムネオンレーザー
- 12・6・5 イオンレーザー
- 12・6・6 炭酸ガスレーザー
- 12・6・7 紫外・真空紫外線分子レーザー
- 12・6・8 エキシマレーザー
- 12・6・9 リソグラフィー用レーザー -各光源の研究開発の現状-
- 12・6・10 化学レーザー
- 12・6・11 ヨウ素レーザー
- 12・6・12 中性金属蒸発レーザー
- 12・6・13 金属蒸発イオンレーザー
- 12・6・14 遠赤外分子レーザー
- 13・1 半導体レーザーの基礎
- 13・1・1 半導体における誘導放出と光増幅利得
- 13・1・2 半導体量子井戸構造における誘導放出
- 13・1・3 半導体レーザーの材料と構造
- 13・1・4 半導体レーザーの基礎特性
- 13・1・5 分布帰還形レーザーと分布ブラッグ反射形レーザー
- 13・2 光通信用半導体レーザー
- 13・2・1 研究開発の歴史
- 13・2・2 光通信用半導体レーザーの基本構造
- 13・2・3 光通信用半導体レーザーの用途
- 13・2・4 光通信用半導体レーザーモジュール
- 13・3 光情報処理用半導体レーザー
- 13・4 短波長半導体レーザー
- 13・4・1 短波長半導体レーザーの材料開発
- 13・4・2 GaN系半導体レーザーの構造および作製方法
- 13・4・3 長寿命化のための転位低減技術
- 13・4・4 青紫色半導体レーザーの特性
- 13・5 面発光半導体レーザー
- 13・5・1 面発光レーザーの種類
- 13・5・2 垂直共振器形面発光レーザーの特徴
- 13・5・3 面発光レーザーの歴史
- 13・5・4 面発光レーザーの発振条件
- 13・5・5 面発光レーザーの製作技術
- 13・5・6 面発光レーザーの性能向上と高機能化
- 13・6 その他の半導体レーザー
- 13・7 半導体レーザー関連技術
- 13・7・1 半導体レーザーの波長制御技術
- 13・7・2 半導体レーザーの波長変換技術
- 13・7・3 半導体レーザーの利用スイッチ
- 14・1 高出力半導体レーザーの構成
- 14・2 高出力半導体レーザーのアレイ化技術と冷却
- 14・3 高出力半導体レーザーのコヒーレント化技術
- 14・4 高出力半導体レーザーの応用
- 14・4・1 高出力半導体レーザーの加工機への応用
- 14・4・2 高出力半導体レーザーの植物工場への応用
- 15・1 概要
- 15・1・1 半導体レーザー励起固体レーザーの特徴
- 15・1・2 固体レーザーの基本特性
- 15・2 ファイバレーザー
- 15・2・1 ファイバレーザーとは
- 15・2・2 ファイバレーザーに関係する保存則と拡大測
- 15・2・3 二重クラッドファイバレーザー
- 15・2・4 エルビウム添加ファイバ増幅器(EDFA)
- 15・2・5 ネオジム添加ファイバレーザー
- 15・2・6 イッテルビウム添加ファイバレーザー
- 15・2・7 ラマンファイバレーザー
- 15・2・8 ファイバブラッグ回折格子 (FBG:fiber Bragg grating)
- 15・2・9 ファイバ融着技術
- 15・2・10 フォトニック結晶ファイバ
- 15・2・11 コヒーレントファイバレーザーアレイ
- 15・2・12 超短パルスファイバレーザー
- 15・3 マイクロチップレーザー
- 15・4 高出力DPSSレーザー
- 15・4・1 高出力DPSSレーザーの実用性
- 15・4・2 DPSSレーザーの基本構成
- 15・4・3 DPSSレーザーの発展
- 16・1 X線レーザー研究の概観
- 16・2 再結合X線レーザー
- 16・2・1 再結合プラズマ法の原理
- 16・2・2 水素(H)様イオン再結合X線レーザー
- 16・2・3 リチウム(Li)様イオン再結合X線レーザー
- 16・2・4 その他の方法
- 16・3 超短パルスレーザー励起直接電離形X線レーザー
- 16・3・1 OFI方式の特徴
- 16・3・2 再結合励起OFI X線レーザー
- 16・3・3 電子衝突励起OFI X線レーザー
- 16・4 過度電子衝突励起X線レーザーと利用研究
- 16・4・1 過度電子衝突励起X線レーザーの背景と発生原理
- 16・4・2 過度電子衝突励起X線レーザーの利用研究
- 16・5 キロボルトX線レーザーへの挑戦
17章 自由電子レーザー
- 17・1 概説
- 17・2 自由電子レーザーの理論
- 17・3 自由電子レーザー装置
- 17・4 各種の自由電子レーザー
- 17・4・1 短波長自由電子レーザー
- 17・4・2 長波長自由電子レーザー
- 17・4・3 高出力自由電子レーザー
- 17・4・4 SASE型自由電子レーザー
- 執筆委員
- 12章
猿倉 信彦(分子化学研究所)
小野 晋吾(分子科学研究所)
中塚 正大(大阪大学)
金邊 忠(福井大学)
藤本 靖(大阪大学)
興 雄司(九州大学)
植田 憲一(電気通信大学)
平等 拓範(分子科学研究所)
前田 三男(九州大学)
實野 孝久(大阪大学)
岡島 茂樹(中部大学)
後藤 達美(九州大学)
溝口 計(ギガフォトン) - 13章
栖原 敏明(大阪大学)
辻 伸二(日立製作所)
油利 正昭(松下電器産業)
上山 智(名城大学)
宮本 智之(東京工業大学)
馬場 俊彦(横浜国立大学)
山本 和久(松下電器産業) - 14章
菅 博文(浜松ホトニクス) - 15章
植田 憲一(電気通信大学)
平等 拓範(分子科学研究所)
安井 公活(三菱電機) - 16章
大道 博行(日本原子力研究所)
山口 直洋(豊田工業大学)
緑川 克美(理化学研究所)
河内 哲哉(日本原子力研究所)
森林 健吾(日本原子力研究所) - 17章
山田 家和勝(産業技術総合研究所)
三間 國興(大阪大学)
山嵜 鉄夫(京都大学)
奥田 修一(大阪府立大学)
河合 正之(東北大学)
峰原 英介(日本原子力研究所)
新竹 積(理化学研究所)
- 12章
IV編 各種レーザー
12章 固体・気体・液体レーザー