• 1.KLM 技術と SESAM, Chirped Mirror 技術
• 2.短パルス発生技術の発展:能動制御と受動制御、人工原子技術へ
• 3.Sibbett のマジックモードロック:分散補正なし
• 4.W. Sibbett によるマジックモードロック:分散補正あり
• 5.マジックモードロック論文のまとめ
• 6.モードロック発振には Mini-shaker が必要だった
• 7.結晶レーザーの枠を超えた超短パルス発生への取り組み
• 8.希土類添加固体レーザーに応用するには
• 9.フーリエ限界パルスの認識変化
• 10.スペクトルと時間波形の関係 フーリエ変換
• 11.Time-bandwidth product 時間バンド幅積
• 12.Kerr-lens mode-locked Yb3+:Sc2O3 セラミックレーザー
• 13.92 fs, ΔνΔτ = 0.340 パルス発生
• 14.KLM によるビームプロファイルの変化:KLM
• 15.SESAM を HR ミラーに交換したら
• 16.Yb:Lu2O3 セラミック 71 fs, 21.3 nm KLM 特性
• 17.モードロック発振は CW 発振の 2 倍の効率に
• 18.レーザープロファイルの改善と長期安定性
• 19.複数レーザー媒質ハイブリッドレーザーによる帯域拡大
• 20.複合利得媒質による利得帯域幅と非線形効果の制御
• 21.利得媒質比と反転分布量に対する利得幅変化
• 22.1 mm 2.5 at.% Yb:Sc2O3 and 1.5 mm 1.8 at.% Yb: Y2O3 セラミックハイブリッドレーザー
• 23.53 fs, 1 W, ΔτΔν = 0.399 超短パルス発生
• 24.位相同期したレーザー光のスペクトルは蛍光幅より広い
• 25.希土類添加固体レーザーによる<100fs 短パルス化の意味
• 26.複数利得媒質によるハイブリッドモードロックのまとめ
• 27.カーレンズモードロック実験の重要な結論
• 28.KLM による数サイクルパルス発生
• 29.U. Keller:Lecture @ EPS-QEOD Europhoton Conf. Lawsanne, Switzerland
• 30.能動的、受動的モードロックの違い
• 31.SESAM モードロック
• 32.過飽和吸収体→A-FPSA→SESAM への発展の歴史
• 33.SESAM 人工的原子のエネルギー配置
• 34.レーザー波長対応半導体材料:GaAs, InP, GaInNAs
• 35.SESAM パラメータ:飽和、変調深さ、回復時間
• 36.Q スイッチ不安定性の回避条件
• 37.1995 年:A-FPSA から単一量子井戸構造へ
• 38.反共振から共振型 SESAM への変化の効果
• 39.2003 年:モードロック Thin Disk Yb:YAG レーザーの中空ファイバーパルス圧縮
• 40.>10¹⁴W/cm²の高収束強度
• 41.レーザー電場によるトンネルイオン化と高次高調波発生
• 42.数サイクルパルスによるコヒーレント白色 X 線 HHG 発生
• 43.KLM による超短パルス発生の登場
• 44.反射深さによる広帯域分散補償ミラー:Chirped multilayer coating
• 45.高次分散補正
• 46.Chirped mirrors
• 47.問題点、dispersion oscillation
• 48.BASIC Double chirped mirrors
• 49.DCM の問題点:低反射と広帯域は両立しない
• 50.オクターブ超え BASIC DCM のデザイン
• 51.2.7 fs パルスとは、どんなパルス
• 52.群速度、位相速度、波頭速度
• 53.モデルに当てはめた理解はそれなりの理解
• 54.Carrier-Envelope Offset Phase の計測法の提案
• 55.最初の CEO 位相制御実験
• 56.CEO 位相の安定化結果の例
• 57.高強度数サイクルパルスへの道程
• 58.Keller Lab. Federal Technical Institute, Zurich