半導体レーザーは,小型,軽量,高効率,長寿命などの特徴を持つため,光通信,光情報処理などの応用分野の光源として広く使われ,波長城の拡大,性能の向上により,さらに需要が伸びている.これまでの応用は,比較的低出力の半導体レーザーが使用されていたが,素子構造の改良,集積化,組立技術の向上により高出力化を図り,パワー分野での応用が考えられるようになってきた.特にランプ光源に代わる固体レーザー励起用光源,産業応用における金属加工,プラスチック加工,熱処理,農業などにも,半導体レーザーの出力を集光して応用しようとする研究も行われるようになってきた.

本章では,これらの技術と今後の動向について記述する.

高出力半導体レーザーの主な技術と構成は,①結晶成長およびその材料と多層構造,②共振器端面保護(構造),③組立実装技術,④素子の冷却技術,⑤プロセス技術,などが考えられる.まず,主に結晶材料および構造について記述する.

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