表面発光型半導体レーザーで先駆的な研究が

【表面発光型半導体レーザーで先駆的な研究が】

そんなことを考えていた1991年頃、米国のDavid Samoff Research Centerから図のような論文が発表されました。米国における表面発光型半導体レーザーは、日本の伊賀先生らによる表面発光型とは異なり、半導体基板表面に平行にレーザー増幅を行ない回折格子によって基盤から垂直に出力させるという構造を持っています。彼らのアイデアはそれらを1列に10個並べ、2列をミラーで結合してリング共振器を構成し、LD増幅器の間の半透鏡型の回折格子で出力するものです。結果として等間隔に並んだ20本のビームで出力することになります。駆動電流の増加に伴い出力は直線的に増加するようになり、測定されたスペクトルはすべて同じでした。それは当然で、同じ共振器の中を走っているレーザー光を等間隔でサンプリ ングして出力しているわけですから。