ヘテロエピタキシャル成長(heteroepitaxial growth)とは

GaAs基板上のZnSe，Al₂O₃，基板上のGaN，Si基板上のGaAs，GaAs基板上のInP成長のような場合で，結晶構造と格子定数のいずれも異なる場合や，結晶構造は同じでも格子定数が大きく異なるような場合である．また，このような典型的な場合のほかに，GaAs基板上のAl_xGa_1-xAs，InP基板上のIn_0.53Ga_0.47As成長のように，結晶構造は同じで格子定数がわずかに異なったり，格子定数は一致していても両者の物質が異なる場合もある．これらも広義でヘテロエピタキシャル成長に分類することができる．