通常の半導体レーザーのキャリアは電子と正孔である。伝導体にある電子と価電子帯にある正孔の再結合により発光(バンド間の遷移を利用)している。

一方、量子カスケードレーザーでは、半導体量子井戸が多段接続(カスケード)されている。サブバンド間の遷移を利用した半導体レーザーの一種であり、半導体のキャリアは1種類(伝導体の電子か、価電子帯の正孔のどちらか)である。バンド間遷移による発光波長は、半導体材料のエネルギーバンドギャップに依存する。サブバンド間エネルギーの大きさは量子井戸の幅によって変えることができるため、発光波長を柔軟に設計できる。量子カスケードレーザーの発振領域は中赤外からテラヘルツ帯である。室温での出力は大きなもので20mWが実現されている。

下記は、Alpes Lasers社が公開している量子カスケードレーザーが発振するまでの様子を示す動画である。

量子カスケードレーザーの主要なメーカーには下記が挙げられる。

光響へのお問合せ

無料ユーザー登録

続きを読むにはユーザー登録が必要です。
登録することで3000以上ある記事全てを無料でご覧頂けます。
SNS(Facebook, Google+)アカウントが持っているお客様は、右のサイドバーですぐにログインできます。 あるいは、既に登録されている方はユーザー名とパスワードを入力してログインしてください。
*メールアドレスの間違いが増えています。正しいメールアドレスでないとご登録が完了しないのでお気を付けください。

既存ユーザのログイン
   
新規ユーザー登録
*必須項目