p形Geレーザー(p-type Ge laser)とは

Gaなどの浅いp形不純物原子をドープしたGe半導体の価電子帯中ホール(正孔)のエネルギー準位間の遷移により,遠赤外線~ミリ波帯で発振するレーザーの総称.直交電磁界を加えて励起し,軽いホールと重いホール間で発振させる価電子帯間(intervalence band:IVB)レーザーおよび軽いホールのランダウ準位間で発振させるLHCR(light hole cyclotron)レーザーがある.また,結晶方位[100]方向に平行電磁界を加えて,重いホールのランダウ準位間に反転分布を起こし発振させるHHCR(heavy hole cyclotron)レーザーがある.IVBレーザは1.5~4 THz.LHCRレーザーは1~2.5 THz,HHCRレーザーは100~300 GHzで発振する.現在,同幅程度のパルス発振のみが実現されている.半導体素子は4 K程度に冷却する必要があるが,数mW~10 Wのパルス出力が容易に得られる.