金属シリサイド半導体(metal silicide semiconductor)とは

Fe，Cr，CaSi，Mg，O_s，Ruなどの金属とSiとからなる合金(β-FeSi_s，CrSi_s，Ca_sSi，Mg_sSi，OsSi₂，Ru₂Si₃)はその結晶構造により半導体相となることがあり，金属シリサイド半導体と呼ばれるそれらの中でβ-FeSi_sとCa_sSiは，環境に優しし資源枯渇の心配もない材料であり，環境半導体と考えられる．さらに，これらの半導体はSi系の材料でありながら，直接選移型のバンドギャップエネルギー(E_g=0.87 eV，1.9 eV)を持つ半導体であるので，Si-ULSI基板の上に直接，オプトエレクトロニクス素子を形成できる可能性があることで，大きな関心を集めている．