半導体レーザーの基礎

目次

• 1.1. 半導体レーザーとは
• 1.2. 半導体レーザーにおける誘導放出と光増幅利得
  • 1.2.1 直接遷移型半導体のバンド構造
  • 1.2.2 誘導放出の条件
  • 1.2.3 光子の吸収・放出と吸収・利得係数
• 1.3. 直接遷移半導体の解析モデル
• 1.4. 実際の半導体のエネルギー状態を表すモデル（GHLBT-SMEモデル）
• 1.5. 半導体量子井戸構造における誘導放出
  • 1.5.1. 量子井戸構造と電子状態
  • 1.5.2. 量子井戸構造の利得特性
• 1.6. 半導体レーザーの材料と構造
• 1.7. 半導体レーザーの基礎特性
  • 1.7.1 レート方程式
  • 1.7.2 定常発振特性
  • 1.7.3 変調特性
  • 1.7.4 雑音特性
  • 1.7.5 スペクトル線幅