近赤外動作の低電圧グラフェン電気光学変調器

多くの通信基盤光システムで不可欠な要素は、電気光学変調器である。これにより連続波（CW）光を光源として使いデータストリームを生成することができる。最先端のシリコン（Si）フォトニック回路の開発者は、これをコンパクトで効率的なレーザ、フォトディテクタ、パッシブコンポーネントとともに、コスト効果よくSiに集積したいと考えている。
　相補型金属酸化膜半導体（CMOS）製造プロセスは、量産Siエレクトロニクス産業で標準となっており、少なくともそれらがCMOSプロセスに適合すれば、これによってSi基板上に安価なフォトニクスの量産が可能になる。そのため、「CMOS適合」といえる新しいフォトニックデバイスの開発者はだれでも、すぐに他の開発者の関心を得ることができる。
　グラフェンはフォトニクスにとって比較的新しい材料である。グラフェンは、その固有の光学的、電気的、熱的、機械的特性のため、さまざまなコンポーネントにとって有効な材料として研究されている。理想的には、コストのために、当然、グラフェン・フォトニックコンポーネントは、CMOSプロセスを利用して製造できなければならない。
　英マンチェスター大（Manchester University）のグループは、今回、非常に小さなグラフェンベースの電界吸収型変調器（EAM）を開発した。動作電圧は、1 ～ 3Vと低く、消費電力も低い、しかもCMOS適合的である（1）。

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出典元
https://ex-press.jp/wp-content/uploads/2017/09/worldnews02.pdf