CMOSショットキーダイオードがコストを下げ、電子ディテクタの遠赤外応答を14倍にする

ダラスのテキサス大（UT Dallas）の研究者たちは、独JWGフランクフルト大およびリトアニアのヴィリニュス大と協働し、ショットキーバリアダイオードを130nm CMOSプロセスで使用している。これは、9.74THzテラヘルツ照射の検出に遮断周波数以上で動作する。検出された信号の周波数は電子検出の最高レベルであり、この周波数範囲で使用される熱検出器とは違い、このようなCMOS電子ディテクタは熱的分離を必要としない。
　10THz近傍でのCMOSディテクタの光応答性は14V/Wで、これは以前に報告された、n チャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）、NMOS（n チャネル金属酸化膜半導体）ディテクタを使用した最大9THz三次検出結果と比較して約14倍高い応答性になる。さらに、9.74THzでは、ショットノイズ抑制等価電力は約2nW/Hz0.5となっている。ショットキーダイオードの製造はCMOSプロセスの変更を必要としない。そのディテクタは、独ヘルムホルツ・ツェントルムで、30psパルス長の可変自由電子レーザ（FEL）光源を用いて特性を評価した。

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出典元
https://ex-press.jp/wp-content/uploads/2015/11/LFWJ1511_p14.pdf