テラヘルツ波発生は、差周波発生による発生方法と、光伝導アンテナによる発生がある。光伝導アンテナは、低温成長GaAs(LT-GaAs)薄膜の上に数μmほど離した(ギャップの狭い)2枚の電極が取り付けられている。発生器として使う場合は、電極に電圧をかけた状態でギャップにフェムト秒パルスレーザー光を照射すると、光キャリアが生成される。このとき、電極の電場により加速され、テラヘルツ波が発生する。検出器として使う場合は、フェムト秒パルスレーザー光が照射された時に発生する光キャリアが、テラヘルツ波の電場により加速され、電極へ電流が流れる。この時の電流値からテラヘルツ波の強度を知ることができる。

光伝導アンテナは、ギャップの狭さ、幅、アンテナの形状など、様々に提案されている。また、テラヘルツ波の広がりを決めるシリコンレンズが付いているものや、レーザー光の照射部へのアライメントがしやすいものなど様々なタイプがある。

Batop社製品

パラレルライン型

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