テラヘルツ波発生は、差周波発生による発生方法と、光伝導アンテナによる発生がある。光伝導アンテナは、低温成長GaAs(LT-GaAs)薄膜の上に数μmほど離した(ギャップの狭い)2枚の電極が取り付けられている。発生器として使う場合は、電極に電圧をかけた状態でギャップにフェムト秒パルスレーザー光を照射すると、光キャリアが生成される。このとき、電極の電場により加速され、テラヘルツ波が発生する。検出器として使う場合は、フェムト秒パルスレーザー光が照射された時に発生する光キャリアが、テラヘルツ波の電場により加速され、電極へ電流が流れる。この時の電流値からテラヘルツ波の強度を知ることができる。

光伝導アンテナは、ギャップの狭さ、幅、アンテナの形状など、様々に提案されている。また、テラヘルツ波の広がりを決めるシリコンレンズが付いているものや、レーザー光の照射部へのアライメントがしやすいものなど様々なタイプがある。

Batop社製品

型番 タイプ 励起波長 発生周波数
PCA1 バタフライ型 800 nm
1040 nm
990〜1060nm
1 THz
1.5 THz
PCA2 パラレルライン型 800 nm
1060 nm
1550 nm
1 THz
1.5 THz
PCA3 ボウタイ型 800 nm
1060 nm
1550 nm
1 THz
iPCA アレイ型 800 nm 2 THz
SPCA 対数スパイラル型 500〜1100 nm 0.05〜1 THz
PCA1 フィンガーギャップ型 800 nm 0.5 THz

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