光による導波路内電子加速で白色光生成

カナダ、アルバータ大の研究者二人、ショーン・ゼーダベルクとアブドルハキム・エレザビ（エドモントン、AB、カナダ）は、ナノスケールシリコン導波路内で光励起の電子が加速されて数電子ボルト（eV）に達することを初めて示した。これは、強い閉じ込めプラズモン領域に存在する強いポンデロモーティブポテンシャル（動重力）によるものである（1）。1つの結果として、シリコン導波路からの強い白色光放出がある。シリコンは間接バンドギャップ材料なので通常は白色光を放出しないが、ここでは放出する。
　ナノシリコンプラットフォームは、CMOSと親和性があり、1550nm波長域で動作し、043μm2の超コンパクト方形面を占める。導波路そのものは、幅100nm、高さ340nmで、60nm厚金膜で覆われている。導波路は端面発光レーザで励起する。顕微鏡対物レンズを用いて84psのパルスを導波路に注入すると電界は最大5V/nmに達する。

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出典元
https://ex-press.jp/wp-content/uploads/2015/05/LFWS201505_wn4.pdf