高出力・高繰り返し半導体レーザー

レーザー核融合炉用ドライバーに要求される高出力半導体レーザーは、表1の通りである。素子の寿命では、16 Hzで100億ショット以上が必要が必要とされている。レーザー核融合発電所の安全な運営には、最終的に数千万個の半導体レーザーの長期安定性が必要である。

現在のQCW半導体レーザーの特性を表2に示したように、要求される特性は満たしている。

1 kHz動作で、100億ショットのQCWパルス動作にも半導体レーザーチップは耐えることが加工機用レーザーの実績で確認されている。長期動作100億ショット(20年以上)の安定した動作を達成するには、5～6kWクラスの加工用高出力半導体レーザーですでに一般的で実績のある組み立て方式の流用が可能である。

光学系でのロスを減らすためのコヒーレント結合技術もVBGを用いた共振器により、可能性が検討されている。