半導体レーザーの注入電流を変調することで、光強度の変調を行う方法を直接強度変調と言う。この場合は、周波数チャーピングが発生する。この結果、変調によるスペクトル広がりよりスペクトルが広くなり、光ファイバーの波長分散の影響を強く受けてしまう。外部の変調器を用いることで、半導体レーザー光源を一定の電流で駆動できるため、この影響を回避することができる。
外部変調器は、電気光学効果型(EO)光音響効果型(AO)、吸収効果を用いた電界吸収型(EA)がある。
EO変調器の中で、ニオブ酸リチウム(LiNbO3,LN)導波路型のものは、一般的にLN変調器と呼ばれる。

Reference and Links

[1] 山下真司, 「イラスト・図解 光ファイバー通信のしくみがわかる本」, pp.179, 技術評論社 (2002).

[2] Laser Diode Selection

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