半導体の電界吸収効果は、半導体の微細構造(量子井戸)に電界を加えることで、伝導体と荷電子帯のエネルギー準位差(バンドギャップ)が変化し、光の吸収量が変化する現象である。
バンドギャップが大きい時には、光吸収がなく、そのまま透過するため透明である。バンドギャップが小さい時には、光が吸収される。
EA変調器は小型で、低電圧で動作できるため、半導体レーザーと集積化が可能である。EA変調器はまた、偏光依存性はないが、少しばかりのチャープが存在する。

Reference

イラスト・図解 光ファイバー通信のしくみがわかる本, 山下 真司, 株式会社技術評論社, pp.181, 2002.

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