半導体レーザー(Laser Diode:LD) は、高出力ファイバーレーザーを開発する上での最重要要素である。LDの波長は半導体の構成元素によって変化する。LDの構成元素と各々の発振波長域、及び励起可能な希土類添加ファイバーの種類を表1に示す。このように、LDは広帯域にわたって利用できることが分かる。

表1:LDの構成元素と各々の発振波長域および励起可能な希土類添加ファイバーの種類
構成元素 波長域 [um] 希土類元素
InGaN/GaN 0.38-0.48 Pr
GaAs/AlGaAs 0.78-0.86 Nd, Tm
InGaAs/GaInAsP/GaInP 0.9-0.98 Yb, Er
GaInAsP/InP, AlGaInAs/InP 1.47-1.6 Er
InGaAsP 1.8-1.96 Ho