電子線転写リソグラフィー(electron beam projection lithography:EPL)とは

電子線(EB)を用い，レチクル(マスク)像をウェーハ上に転写露光するリソグラフィー技術．光リソグラフィーの解像限界を凌駕するために開発中の，各種次世代リソグラフィー技術的一つ．2005年に量産出荷が予定されている70 nmノードデバイス以降の各世代への適用が期待されている．EB露光技術は従来低いスループットが問題とされていたが，EPLでは高い加速電圧(100 kV)および大きな露光サイズ(口250 μm)による露光ビーム電流の増大化(クーロン効果の抑制によるもの)，大きなビーム編向(ウェーハ上で5 mm)による露光の高速化，などにより，高いスループットの実現が可能となる方式．Lucent Technologlesにより基本コンセプトが提案され，現在はニコンと米IBMが共同開発を推進しており，2002年以降に商品号機が出荷される予定にある．