真空紫外光リソグラフィー(VUV(vacuum ultraviolet)lithography)とは

露光技術(リソグラフィー技術)は半導体プロセスの基幹である．これまで水銀ランプを光源とする光リソグラフィーが工業的に用いられてきた．投影光学系の解像度RはR=k^xλ/NAなるレイリーの式で与えられる(λ:波長，k:プロセスに依存する係数，NA:投影レンズの開口数)が，256 MDRAMの製造では水銀ランプのi線(365 nm)では微細化に対応できず，KrF(248 nm)エキンマレーザーを光源とするようになった．さらにより微細化を目指す次世代技術として点空紫外光を光源とするVUVリソグラフィーが大きな感心を集めている．具体的には波長157 nmのF₂レーザーを光源とした16 GDRAMがターゲットとなっている．→EUVリソグラフィー