II-VI族半導体(II-VI compound semiconductor)とは

Zn，Cd，MgなどのII族元素と，Se，SなどのVI族元素からなる化合物半導体であり，化学量論的にII族とVI族のそれぞれの原子数の総数は同数でなければならない．すべて直接遷移型半導体であり，3.8 eVから0.15e Vの広い領域でさまざまなバンドギャップを有する．ZnSe， MgZnSSeなどはワイドギャップ半導体であり，青色半導体レーザーなどに利用される，HgやTeを含む場合，バンドギャップが狭い材料が得られる．従来，自己補償効果のために，p形のドーピング制御がむずかしかったが，近年，活性窒素ドーピングという新たな技術の導入によって，10¹⁸ cm^-3程度までの制御が容易になり，半導体レーザーなどのpn接合デバイスの開発が急速に進んだ．